发明名称 具电磁波雕刻刻痕基板的半导体发光组件及其制造方法
摘要 本发明公开一种供一半导体发光组件磊晶的基板及其制造方法。本发明的基板的一上表面具有数个电磁波雕刻的刻痕,其中该半导体发光组件的磊晶执行于该基板的该上表面上。
申请公布号 CN101335317B 申请公布日期 2010.12.08
申请号 CN200710129020.9 申请日期 2007.06.29
申请人 广镓光电股份有限公司 发明人 蔡宗良;蔡炯棋
分类号 H01L33/00(2006.01)I 主分类号 H01L33/00(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人 郑小军;冯志云
主权项 一种供一半导体发光组件磊晶用的基板,其特征在于:所述基板的一上表面具有数个电磁波雕刻的刻痕,所述刻痕内具有被电磁波刻划过的粗糙侧壁,所述半导体发光组件的磊晶执行于所述基板的所述上表面上。
地址 中国台湾台中市工业区34路40号