| 发明名称 | 在阻挡层上具有钌电镀层的ULSI微细配线构件 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是提供具有尤其是通孔和沟槽内侧壁的可达范围充分，与表面部的膜厚也均匀，并且杂质浓度少的种子层的ULSI微细配线构件。另外本发明的目的是还提供利用该种子层并通过接下来的电镀铜来形成没有空隙发生的微细配线的ULSI微细配线构件、其形成方法和形成有该ULSI微细配线的半导体晶片。本发明的ULSI微细配线构件具有基材和在基材上形成的ULSI微细配线，该ULSI微细配线具有在基材上形成的阻挡层和在该阻挡层上形成的钌电镀层。本发明提供将该钌层作为种子层形成了铜电镀层的ULSI微细配线构件及其形成方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101911257A | 申请公布日期 | 2010.12.08 |
| 申请号 | CN200980101581.5 | 申请日期 | 2009.01.08 |
| 申请人 | 日矿金属株式会社 | 发明人 | 关口淳之辅;伊森彻;木名濑隆 |
| 分类号 | H01L21/288(2006.01)I;C25D5/10(2006.01)I;C25D7/12(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/288(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 段承恩;田欣 |
| 主权项 | 一种ULSI微细配线构件，具有基材和在基材上形成的ULSI微细配线，其特征在于，该ULSI微细配线至少具有在基材上形成的阻挡层和在该阻挡层上形成的钌电镀层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||