| 发明名称 | 辐射发射体及制造辐射发射体的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种辐射发射体，包括层序列，该层序列具有用于生成电磁辐射的活性层(10)，具有反射所生成辐射的反射层(50)和具有至少一个布置在活性层(10)和反射层(50)之间的中间层(40)。在此活性层(10)在朝向反射层(50)的界面(15)上具有不平整结构，并且反射层(50)在朝向活性层(10)的界面(45)上是基本上平坦的。本发明还涉及一种用于制造辐射发射体的方法，其中在衬底上构造具有用于生成电磁辐射的活性层(10)的层序列。在此使活性层(10)的界面(15)不平整，并且构造至少一个中间层(40)和反射层(50)。 | ||
| 申请公布号 | CN101911319A | 申请公布日期 | 2010.12.08 |
| 申请号 | CN200880122953.8 | 申请日期 | 2008.12.19 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | F·埃伯哈德;R·温迪希;R·沃尔特;M·施马尔;M·阿尔斯泰特 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 张涛;李家麟 |
| 主权项 | 一种辐射发射体，包括 层序列， 具有用于生成电磁辐射的活性层(10)， 具有反射所生成的辐射的反射层(50)，和 具有至少一个布置在所述活性层(10)和所述反射层(50)之间的中间层(40)，其中所述活性层(10)在朝向反射层(50)的界面(15)上具有不平整结构，并且所述反射层(50)在朝向活性层(10)的界面(45)处基本上是平坦的。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||