发明名称 半导体发光元件及其制造方法
摘要 本发明提供一种倒装芯片半导体发光元件,其包含衬底以及半导体多层结构。该半导体多层结构具有第一表面以及相对于该第一表面的第二表面,并且该半导体多层结构以该第一表面接合于该衬底的表面上,并且该第二表面具有多个凸点,该多个凸点呈周期性排列。
申请公布号 CN101101949B 申请公布日期 2010.12.08
申请号 CN200710108231.4 申请日期 2007.06.04
申请人 联胜光电股份有限公司 发明人 黄国欣
分类号 H01L33/00(2006.01)I 主分类号 H01L33/00(2006.01)I
代理机构 北京市中联创和知识产权代理有限公司 11364 代理人 王玉双
主权项 一种倒装芯片半导体发光元件,该半导体发光元件包含:衬底;以及半导体多层结构,该半导体多层结构具有第一表面以及相对于该第一表面的第二表面,并且该半导体多层结构以该第一表面接合于该衬底的表面上,并且该第二表面具有多个凸点,该多个凸点呈周期性排列;其中该多个凸点包含第一凸点以及与该第一凸点相邻的第二凸点,该第一凸点与该第二凸点各具有峰点,且该第二表面于该第一凸点与该第二凸点间包含有底点,其中该峰点至该底点的垂直距离以及两个峰点间的水平距离比介于0.01至10之间。
地址 中国台湾台中县