| 发明名称 | 集成电路元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种集成电路元件，包括：一半导体基板，具有一上表面；至少一绝缘区，自该上表面延伸进入该半导体基板；多个基区接触，具有一第一导电型，彼此电性连接；以及多个发射极与多个集电极，具有一第二导电型，与该第一导电型相反。每一所述发射极、所述集电极与所述基区接触通过所述至少一绝缘区彼此侧向分隔。该集成电路元件还包括一埋层，具有该第二导电型，于该半导体基板中，其中该埋层具有一上表面，邻近所述多个集电极的下表面。本发明优点特征包括高电流获得、低芯片使用面积以及低基区电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN101908540A | 申请公布日期 | 2010.12.08 |
| 申请号 | CN201010196907.1 | 申请日期 | 2010.06.02 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 钟道文;柯博尧;林威仰;庄建祥 |
| 分类号 | H01L27/082(2006.01)I;H01L29/73(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/082(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 姜燕;邢雪红 |
| 主权项 | 一种集成电路元件，包括：一半导体基板，具有一上表面；至少一绝缘区，自该上表面延伸进入该半导体基板；多个基区接触，具有一第一导电型，彼此电性连接；多个发射极，具有一第二导电型，与该第一导电型相反，其中所述多个发射极彼此电性连接；多个集电极，具有该第二导电型，彼此电性连接，其中每一所述发射极、所述集电极与所述基区接触通过所述至少一绝缘区彼此侧向分隔；以及一埋层，于该半导体基板中，具有该第二导电型，其中该埋层具有一上表面，邻近所述多个集电极的下表面。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||