一种发光二极管芯片的制造方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管芯片的制造方法，利用掩膜技术对蓝宝石衬底进行激光划片将其划分为多个芯片单元，并利用磷酸和硫酸的混合液对划道进行腐蚀、清除划片生成物，去除掩膜后进行GaN外延层生长，从而能有效降低GaN外延层的位错密度、提高外延层晶体的质量、减少划片生成物对光的吸收、提高LED芯片的出光效率，可使LED芯片的亮度提高20％以上。

主权项

一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤一、在蓝宝石衬底上制作掩膜层；步骤二、在所述掩膜层上制作光刻胶图形，所述光刻胶图形在掩膜层表面形成多个单元，各单元之间将部分掩膜层露出；步骤三、在露出的掩膜层上进行激光划片，划至所述蓝宝石衬底，形成划道，将其划分为多个芯片单元；步骤四、去除所述光刻胶图形；步骤五、以所述掩膜层作为掩膜，使用磷酸和硫酸的混合液对划道侧壁进行腐蚀，清除划片生成物；步骤六、使用清洗液去除所述掩膜层；步骤七、在划分为多个芯片单元的蓝宝石衬底上生长薄膜，使每个芯片单元的蓝宝石衬底上形成半导体外延层，该半导体外延层至少包括N型半导体层、位于所述N型半导体层之上的有源层，以及位于所述有源层之上的P型半导体层；步骤八、在步骤七所得结构上对每个芯片单元进行刻蚀，露出部分N型半导体层，然后制作透明电极、N电极、P电极和钝化层。