发明名称 | 用于处理衬底的设备和方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种用于处理衬底的设备和方法。通过使用所述设备和方法,可在单个腔室中在衬底的边缘区和后部区中的每一者上个别执行等离子处理。所述设备包含:腔室,其提供反应空间;平台,其安装在所述腔室中;等离子屏蔽单元,其在所述腔室中是与所述平台相对地安装着;支撑单元,其用于在所述平台与所述等离子屏蔽单元之间支撑衬底;第一供应管,其提供于所述平台处以将反应气体或非反应气体供应到所述衬底的一个表面;以及第二和第三供应管,其提供于所述等离子屏蔽单元处,所述第二供应管将反应气体供应到所述衬底的另一表面,所述第三供应管将非反应气体供应到所述另一表面。 | ||
申请公布号 | CN101911251A | 申请公布日期 | 2010.12.08 |
申请号 | CN200880123434.3 | 申请日期 | 2008.12.10 |
申请人 | 索绍股份有限公司 | 发明人 | 韩泳琪;徐映水 |
分类号 | H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 臧建明 |
主权项 | 一种用于处理衬底的设备,其包括:腔室,其提供反应空间;平台,其安装在所述腔室中;等离子屏蔽单元,其在所述腔室中是与所述平台相对地安装着;支撑单元,其用于在所述平台与所述等离子屏蔽单元之间支撑衬底;第一供应管,其提供于所述平台处以将反应气体或非反应气体供应到所述衬底的一个表面;以及第二和第三供应管,其提供于所述等离子屏蔽单元处,所述第二供应管将所述反应气体供应到所述衬底的另一表面,所述第三供应管将所述非反应气体供应到所述另一表面。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |