半导体器件及其形成方法

摘要

提供一种具有不对称的栅电极结构和反转T形浮栅的选择晶体管的存储晶体管及其形成方法。邻近于存储晶体管的选择晶体管的栅电极具有基本上反转的T形图，而与存储晶体管相对的选择晶体管的栅电极近似具有箱形图。为了用反转T形状形成存储晶体管的浮栅，当打开用于存储晶体管的区域时，用于选择晶体管的区域被闭合。

主权项

一种半导体器件，包括：形成在衬底的有源区上的第一栅极，其中有源区被器件隔离层图形限定并且有源区在第一方向上延伸；形成在第一栅极和有源区之间的第一绝缘层；以及形成在第一栅极两侧的有源区上的第一和第二杂质区，其中，当沿着与有源区和器件隔离层图形延伸的第一方向交叉的方向时，邻近于第一杂质区的第一栅极的第一部分的截面形状不同于邻近于第二杂质区的第一栅极的第二部分。