| 发明名称 | 半导体激光器元件和半导体激光器器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体激光器元件和半导体激光器器件，该半导体激光器元件包括：第一半导体层；具有电流注入区域的有源层；第二半导体层；第三半导体层；以及用于将电流注入所述有源层中的电极。在该半导体激光器元件中，第一半导体层、有源层、第二半导体层以及第三半导体层被依次层叠在衬底上，第一半导体层具有约束有源层的电流注入区域的电流约束层，第三半导体层形成在第二半导体层的上表面上对应于有源层的电流注入区域的区域中，电极形成在第二半导体层的上表面上除第三半导体层的区域以外的区域中。 | ||
| 申请公布号 | CN101882755A | 申请公布日期 | 2010.11.10 |
| 申请号 | CN201010100012.3 | 申请日期 | 2010.01.22 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 今西大介 |
| 分类号 | H01S5/20(2006.01)I;H01S5/042(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 李晓冬;南霆 |
| 主权项 | 一种半导体激光器元件，包括：第一半导体层；具有电流注入区域的有源层；第二半导体层；第三半导体层；以及用于将电流注入所述有源层中的电极，其中，所述第一半导体层、所述有源层、所述第二半导体层以及所述第三半导体层被依次层叠在衬底上，所述第一半导体层具有电流约束层，所述电流约束层约束所述有源层的所述电流注入区域，所述第三半导体层形成在所述第二半导体层的上表面上对应于所述有源层的所述电流注入区域的区域中，所述电极形成在所述第二半导体层的所述上表面上除所述第三半导体层的区域以外的区域中。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||