| 发明名称 | 太阳能电池及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种太阳能电池和制造该太阳能电池的方法。该太阳能电池包括半导体单元、电极、以及位于所述半导体单元和所述电极之间的钝化层。所述钝化层包括含有氧化硅(SiOx)的第一层、含有氮化硅(SiNx)的第二层、以及含有氧化硅(SiOx)或氮氧化硅(SiOxNy)的第三层。 | ||
| 申请公布号 | CN101884116A | 申请公布日期 | 2010.11.10 |
| 申请号 | CN200980101219.8 | 申请日期 | 2009.04.17 |
| 申请人 | LG电子株式会社 | 发明人 | 李大龙;郑智元;李贤镐 |
| 分类号 | H01L31/042(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/042(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 李辉;汤俏 |
| 主权项 | 一种太阳能电池，该太阳能电池包括：包括第一类型半导体和第二类型半导体的半导体单元；电连接到所述半导体单元的电极；以及位于所述半导体单元与所述电极之间的钝化层，该钝化层包括含有氧化硅(SiOx)的第一层、含有氮化硅(SiNx)的第二层、以及含有氧化硅(SiOx)或氮氧化硅(SiOxNy)的第三层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||