具有减少的低K介电损伤的剥除

摘要

提供一种在等离子处理室中、在设在光刻胶掩膜下方的低k介电层中形成蚀刻特征的方法。通过该光刻胶掩膜将特征蚀刻进该低k介电层。剥除该光刻胶掩膜，其中该剥除包括至少一个循环，其中每个循环包括碳氟化合物剥除阶段，包括将碳氟化合物剥除气体流进该等离子处理室、由该碳氟化合物剥除气体形成等离子和停止进入该等离子处理室的碳氟化合物剥除气体流，以及减少的碳氟化合物剥除阶段，包括将碳氟化合物流率比该碳氟化合物剥除气体低的减少的碳氟化合物剥除气体流入该等离子处理室、由该减少的碳氟化合物剥除气体形成等离子和停止减少的碳氟化合物剥除气体流。

主权项

一种在等离子处理室中、在设在光刻胶掩膜下方的低k介电层中形成蚀刻特征的方法，包括：穿过该光刻胶掩膜将该特征蚀刻进该低k介电层；以及在将该特征蚀刻进该低k介电层之后剥除该光刻胶掩膜，包括至少一个循环，其中每个循环包括；碳氟化合物剥除阶段，包括：将碳氟化合物剥除气体流进该等离子处理室，其中该碳氟化合物剥除气体包含碳氟化合物；由该碳氟化合物剥除气体形成等离子；以及停止进入该等离子处理室的碳氟化合物剥除气体流；以及减少的碳氟化合物剥除阶段，包括：将碳氟化合物流率比该碳氟化合物剥除气体低的减少的碳氟化合物剥除气体流入该等离子处理室；由该减少的碳氟化合物剥除气体形成等离子；以及停止减少的碳氟化合物剥除气体流。