半导体装置以及半导体装置的制造方法

摘要

在形成有被转移层(16)的器件基板中注入氢离子或者稀有气体离子后，将器件基板接合到载体目标基板，通过氢离子或者稀有气体离子的注入部劈开剥离器件基板而将被转移层(16)转移到载体基板(30)上的半导体装置的制造方法中，在成为器件基板和载体基板的接合界面的接合面(13)与被转移层(16)之间，设置隔断层(11)，其隔断成为气泡产生原因的物质的扩散。其结果是：可以防止成为气泡产生原因的物质扩散所造成的、在半导体基板和目标基板的接合界面中的气泡的产生。

主权项

一种半导体装置，在形成有被转移层的半导体基板中注入氢离子或者稀有气体离子后，将上述半导体基板接合到目标基板，在上述氢离子或者稀有气体离子的注入部劈开剥离上述半导体基板来将上述被转移层转移到上述目标基板上，其特征在于：在上述半导体基板和目标基板的接合界面与上述被转移层之间，设有隔断物质扩散的隔断层。