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一种聚合物驻电薄膜，包括一聚四氟乙烯薄膜与一电极层，其特征在于：该电极层形成于该聚四氟乙烯薄膜之至少一个表面，该电极层的厚度介于0.1 nm至300 nm之间；以及该聚四氟乙烯薄膜包含有一多孔层，该多孔层具有多孔状结构，孔径介于0.01 μm至5.0 μm之间，且气孔占积率介于20%至95%之间，且该聚四氟乙烯薄膜厚度介于1 μm至50 μm之间，且该聚合物驻电薄膜具有一表面电位介于0.1 V至1 kV之间。依据申请专利范围第1项之聚合物驻电薄膜，其中该电极层的较佳厚度为50 nm至150 nm。依据申请专利范围第1项之聚合物驻电薄膜，其中该表面电位较佳值介于100 V至1000 V。依据申请专利范围第1项之聚合物驻电薄膜，其中该聚合物驻电薄膜的表面电位系在预设的第一温度下，以一针电极设置于该聚四氟乙烯薄膜之上，并与该聚四氟乙烯薄膜之间保留一个预设间隙，藉由一直流电源施以一偏压对该聚四氟乙烯薄膜进行电晕充电而成，该第一温度介于摄氏1度至40度，该预设间隙介于0.1 mm至200 mm之间，该第一温度的较佳值介于摄氏10度至30度，且该电晕充电持续一段预设的第一时间，该第一时间介于0.1秒至50秒。依据申请专利范围第4项之聚合物驻电薄膜，其中该第一时间之后，以预设的第二温度对该聚四氟乙烯薄膜进行固化并持续一段预设的第二时间，其中该第二时间介于0.5小时至20小时，该第二温度介于摄氏31度至99度。依据申请专利范围第1项之聚合物驻电薄膜，其中该聚四氟乙烯薄膜进一步包含有一高密度层，形成于该多孔层的一个表面，该高密度层的表面粗糙度Ra介于20nm至165nm之间，与水的接触角度介于120度至135度之间，该高密度层的厚度为该聚四氟乙烯薄膜的厚度的0.04%至40%之间，且该电极层形成于该高密度层之表面。依据申请专利范围第6项之聚合物驻电薄膜，其中该聚四氟乙烯薄膜的多孔层与高密度层系经先将一均质的具有多孔状结构的聚四氟乙烯薄膜之其中一个表面加热至熔点以上，接着在该聚四氟乙烯薄膜的另一个表面迅速降温而制作而成。 |
