发明名称 发光装置
摘要
申请公布号 TWI330705 申请公布日期 2010.09.21
申请号 TW096148974 申请日期 2007.12.20
申请人 欧司朗光电半导体有限公司 发明人 威克尔 哈尔勒;艾佛烈 里;休伯特 欧特;诺伯特 斯塔;乌维 斯特瑞
分类号 F21V8/00 主分类号 F21V8/00
代理机构 代理人 李贵敏 台北市松山区敦化北路168号15楼
主权项 一种发光装置,包含:一辐射来源,以发射具有一第一波长之辐射;一瘦长而弯曲的光导主体,其中该辐射来源所发出之具有该第一波长之辐射于该光导主体耦合后,以对应于长轴而具有一角度之方向,耦合发出一光线;一光波导,该具有第一波长之辐射可耦合进入该光导主体;以及一侦测装置,其可侦测该光波导和/或该光导主体之损坏。如申请专利范围第1项所述之装置,其中该辐射来源可发射对应于红、绿、蓝三色之辐射。如申请专利范围第1项所述之装置,其中该光导主体具有一转换材料,其可转换该具有该第一波长之辐射为具有一第二波长(较长)之光线。如申请专利范围第3项所述之装置,其中该辐射来源包含一短波辐射来源,尤其可为一紫外光雷射二极体。如申请专利范围第3项所述之装置,其中该转换材料包含由下列群组中所选出之一组合:Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu2+,Mn2+;Y2O3:Eu2+,Bi3+;(Sr,Ba,Ca)5(PO4)3Cl:EU2+;BaMgAl10O17:Eu2+;SrMgAl10O17:Eu2+;Ba3Al28O45:Eu2+;(Sr,Ba)2Al6O11:Eu2+;SrAl2O4:Eu2+;M2Si5N5N8:Eu2+,其中M可为钙或锶;AGa2S4:Eu2+,Ce2+,其中A可为Ca、Sr、Ba、Zn、与Mg之群组中所选出之一元素;(A,Sr)S:Eu2+,其中A为硷土金属离子;以及BaMg2Al16O27:Eu2+。如申请专利范围第3项所述之装置,其中该光导主体之一表面系具有转换材料之涂布或印刷。如申请专利范围第3项所述之装置,其中该转换材料包含囊括于该光导主体之内的复数奈米粒子。如申请专利范围第3项所述之装置,其中在该光导主体之中或者之上,具有一薄层,该薄层可反射该具有第一波长之辐射,并使得该具有第二波长之辐射穿透。如申请专利范围第1项所述之装置,其中该光导主体包含一玻璃纤维。如申请专利范围第1项所述之装置,其中该光导主体形成一二维区域。如申请专利范围第10项所述之装置,其中该光导主体可为曲折、螺旋、或蜿蜒之型态。如申请专利范围第1项所述之装置,其中该光线耦合离开该光导主体之光束路径上,具有一光学元件。如申请专利范围第1项所述之装置,其中该光导主体系具有一粗糙表面。如申请专利范围第1项所述之装置,其中该光波导包含由玻璃或塑胶为材料所组成之复数纤维。如申请专利范围第1项所述之装置,其中该侦测装置包含一第二辐射来源,以发射一具有第三波长之辐射,该侦测装置更包含一侦测器,以侦测该具有第三波长之辐射,以做为该光波导与该光导主体之一功能指标。如申请专利范围第15项所述之装置,其中该光波导与该光导主体系配置于该第二辐射来源与该侦测器之间。如申请专利范围第15项所述之装置,其中该第二辐射来源与该侦测器系安排于该光波导之一第一端,而该光导主体系安排于该光波导之一第二端。如申请专利范围第1项所述之装置,其中该光波导与该光导主体之中设有一导电连接,并具有复数功能以检查该导电连接之功能,而该导电连接之功能,即为该光波导与该光导主体之功能的指标。如申请专利范围第1项所述之装置,其中该侦测装置之设置,可依据该光波导和/或该光导主体之该损害侦测结果,关闭该辐射来源之一电源供应。一种照明装置,包含依据前述任一申请专利范围所述之发光装置。一显示装置,包含依据申请专利范围第1项至第19项任一者之发光装置。如申请专利范围第21项所述之显示装置,其系以一液晶阵列型态,安排于所述如申请专利范围第1项至第19项任一者之发光装置的该光线耦合发出之路径上。
地址 德国