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一种场发射阴极，其包括一导电基底和一奈米碳管薄膜，其改良在于：该奈米碳管薄膜包括择优取向排列的多个奈米碳管束首尾相连且平行于导电基底设置，部分奈米碳管从该奈米碳管薄膜中突出。如申请专利范围第1项所述的场发射阴极，其中，该奈米碳管薄膜的厚度为0.01~100微米。如申请专利范围第1项所述的场发射阴极，其中，该导电基底材料为氧化铟锡玻璃。如申请专利范围第1项所述的场发射阴极，其中，进一步包括一导电银胶层设置于导电基底和奈米碳管薄膜之间。一种场发射阴极的制备方法，其包括以下步骤：提供一导电基底；提供至少一层奈米碳管薄膜，该奈米碳管薄膜包括择优取向排列的多个奈米碳管束首尾相连，部分奈米碳管从该奈米碳管薄膜中突出；以及将上述奈米碳管薄膜粘附固定于上述导电基底形成场发射阴极。如申请专利范围第5项所述的场发射阴极的制备方法，其中，进一步将多层奈米碳管薄膜重叠地粘附固定于导电基底形成场发射阴极。如申请专利范围第5项所述的场发射阴极的制备方法，其中，上述奈米碳管薄膜的制备方法包括以下步骤：提供一奈米碳管阵列；从上述奈米碳管阵列中选定一定宽度的多个奈米碳管束；以及以一定速度沿基本垂直于奈米碳管阵列生长方向拉伸该多个奈米碳管束，以形成一连续的奈米碳管薄膜。如申请专利范围第7项所述的场发射阴极的制备方法，其中，上述奈米碳管阵列的制备方法包括以下步骤：提供一平整基底；在基底表面均匀形成一催化剂层；将上述形成有催化剂层的基底在700~900℃的空气中退火约30分钟~90分钟；以及将处理过的基底置于反应炉中，在保护气体环境下加热到500~740℃，然后通入碳源气反应约5~30分钟，生长得到高度为200~400微米的奈米碳管阵列。如申请专利范围第5项所述的场发射阴极的制备方法，其中，上述导电基底表面可预先形成一导电银胶层。如申请专利范围第5项所述的场发射阴极的制备方法，其中，可进一步使用有机溶剂处理粘附在导电基底表面的奈米碳管薄膜。如申请专利范围第10项所述的场发射阴极的制备方法，其中，该有机溶剂为乙醇、甲醇、丙酮、二氯乙烷或氯仿。 |
