用以利用位元特定参考位准读取记忆体之方法与系统及该记忆体

主权项

一种记忆体，其包含：一组晶胞阵列；以及耦接至该晶胞阵列之一感测放大器，该感测放大器系用以使用两个不同参考位准来感测选定晶胞的一状态。如申请专利范围第1项之记忆体，其中该记忆体系一相变记忆体。如申请专利范围第1项之记忆体，其中该组晶胞阵列包括多条位址线，该等位址线包括耦接至欲感测之一晶胞之一位址线的一参考产生器。如申请专利范围第3项之记忆体，其中该参考产生器产生一参考电压供该感测放大器用，该参考产生器用以改变来自该线之信号的位准。如申请专利范围第4项之记忆体，其中该参考产生器储存来自该线之一参考位准。如申请专利范围第5项之记忆体，其中该产生器保存及输出该参考位准供一段时间延迟后用于比较。如申请专利范围第1项之记忆体，其中该感测放大器感测一选定位址线上之位准是否高于或低于一参考位准。如申请专利范围第6项之记忆体，其中该位准系以与用来产生一比较电压之读取电流不同的一读取电流储存。如申请专利范围第1项之记忆体，其中该感测放大器于两不同的时间比较在一位址线上之一位准。如申请专利范围第9项之记忆体，其中该感测放大器用来在减少该位址线上之电流后比较位准。如申请专利范围第1项之记忆体，其中该记忆体系一相变记忆体，而一较高参考电压系用来感测处于较高电阻状态之一晶胞，且一较低参考电压系用来感测处于较低电阻状态之一晶胞。如申请专利范围第3项之记忆体，其中该感测放大器比较流至选定线之一读取电流被减少前所产生之一参考电压，与在该读取电流减少后于该选定线上所产生之一电压。一种用以利用位元特定参考位准读取记忆体之系统，其包含：一处理器；以及耦接至该处理器之一记忆体，其包括一组晶胞阵列以及耦接到至少一晶胞以感测该一晶胞之一感测放大器，该感测放大器系使用两个不同参考位准藉由暴露晶胞来感测选定晶胞之一状态。如申请专利范围第13项之系统，其中该记忆体系一相变记忆体。如申请专利范围第14项之系统，其中一较高参考电压系用来感测处于较高电阻状态之一晶胞，且一较低参考电压系用来感测处于较低电阻状态之一晶胞。如申请专利范围第13项之系统，其中该记忆体包括耦接至该等晶胞之多条位址线、与耦接至包括欲感测之一晶胞的一位址线之一参考产生器。如申请专利范围第16项之系统，其中该参考产生器储存来自该线之一参考位准。如申请专利范围第17项之系统，其中该参考产生器用来减少来自该线之一信号的位准。如申请专利范围第13项之系统，其包括耦接至该处理器之一数位摄影机。