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一种用以接触一覆盖于一磁电元件之导电层之方法，该方法包括如下步骤：形成一覆盖于一电介质区域之记忆体元件层；沈积一覆盖于该记忆体元件层之第一导电层；沈积一覆盖于该第一导电层之第一电介质层；图案化与蚀刻该第一电介质层以形成一第一遮罩层；采用该第一遮罩层蚀刻该第一导电层；沈积一覆盖于该第一遮罩层与该电介质区域之第二电介质层，其中该第二电介质层包括一不同于该第一电介质层之材料；移除该第二电介质层之一部分以暴露该第一遮罩层；以及将该第二电介质层与该第一遮罩层经受一化学蚀刻，以致于用一比蚀刻该第二电介质层快之速率蚀刻该第一遮罩层，其中该第一遮罩层之该蚀刻暴露了该第一导电层。根据申请专利范围第1项之方法，其中该形成一记忆体元件层之步骤包括形成一覆盖于该电介质区域之第一磁性层，形成一覆盖于该第一磁性层之隧道阻障层，以及形成一覆盖于该隧道阻障层之第二磁性层。根据申请专利范围第1项之方法，其中该沈积该第一电介质层之步骤包括沈积由增强电浆氮化物形成之该第一电介质层，并且沈积该第二电介质层之步骤包括沈积由原矽酸四乙酯衍生二氧化矽形成之该第二电介质层。根据申请专利范围第1项之方法，其中该蚀刻步骤产生该记忆体元件层之一暴露部分，该方法进一步包括在该蚀刻步骤之后与在沈积一第二电介质层之该步骤之前执行下述步骤：沈积一覆盖于该记忆体元件层与该第一遮罩层之该暴露部分之第三电介质层；图案化并且蚀刻该第三电介质层以形成一第二遮罩层；以及采用该第二遮罩层，蚀刻该记忆体元件层之暴露部分。根据申请专利范围第4项之方法，其中该移除该第二电介质层之一部分之步骤进一步包括移除该第二遮罩层之一部分。根据申请专利范围第1项之方法，其进一步包括在形成一记忆体元件层之该步骤之前沈积一覆盖于该电介质区域之第二导电层。根据申请专利范围第1项之方法，其中该移除该第二电介质层之一部分之步骤包括藉由化学机械抛光、电化学机械抛光与蚀刻之一来移除该第二电介质层之该部分。根据申请专利范围第1项之方法，其进一步包括沈积一覆盖于该第一导电层之互连层，该互连层与该第一导电层电连接。根据申请专利范围第1项之方法，其中该方法进一步包括下述步骤：沈积一覆盖于该第二电介质层与该第一导电层之第三电介质层；以及蚀刻该第三电介质层以形成一覆盖于该第一导电层之一部分之间隔。 |
