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一种热处理制程，该热处理制程包括：提供一导线架型半导体封装半成品，该导线架型半导体封装半成品包括：一导线架，该导线架包含多个封装单元；以及一封胶体，该封胶体包覆该些个封装单元；导入一加热制程，该加热制程设有一置入温度以及一峰值温度，其中该导线架型半导体封装半成品之温度由该置入温度经一热反应时间而到达该峰值温度，并使该导线架型半导体封装半成品之形变量降低或使该导线架与该封胶体间之应力得以释放以降低翘曲度，该峰值温度设定在190度~260度之间。如申请专利范围第1项所述之热处理制程，其中该峰值温度更进一步设定在220度~240度之间。如申请专利范围第1项所述之热处理制程，其中该置入温度约为110度。如申请专利范围第1项所述之热处理制程，其中该热反应时间设定在200秒~300秒之间。如申请专利范围第1项所述之热处理制程，其中该加热制程用以取代后段烘烤固化制程。如申请专利范围第1项所述之热处理制程，其中该加热制程于后段烘烤固化制程之后导入。如申请专利范围第1项所述之热处理制程，更包括导入一快速冷却制程，该快速冷却制程设有一冷却最终温度以及一冷却斜率，其中该导线架型半导体封装半成品之温度由该峰值温度经该冷却斜率而到达该冷却最终温度。如申请专利范围第7项所述之热处理制程，其中该冷却斜率设为每秒下降0.8度~1.6度之间。如申请专利范围第7项所述之热处理制程，其中该快速冷却制程包括以风扇产生之气流强制冷却。如申请专利范围第1项所述之热处理制程，其中导入该加热制程时，更包括注入一化学性质安定之气体于加热该导线架型半导体封装半成品之一反应炉中。如申请专利范围第10项所述之热处理制程，其中该反应炉包括远红外线热风反应炉。如申请专利范围第10项所述之热处理制程，其中该化学性质安定之气体包括氮气。如申请专利范围第1项所述之热处理制程，其中该些封装单元为四方扁平无引脚封装单元。 |
