用于校准温度测量器件的方法和用于确定晶片温度的方法

摘要

本发明提供了用于晶片温度测量和温度测量器件校准的方法和装置，它们可基于对半导体晶片中层的吸收的确定而实现。所述吸收的确定可通过朝晶片引导光并测量从光所入射的表面下被晶片反射的光而实现。校准晶片和测量系统可布置和构造成使得以相对晶片表面预定角度反射的光被测量，而其它光不会。测量还可基于评价晶片中或晶片上的图案的像的对比度。其它测量法可采用确定晶片内光程长度以及根据反射或透射光的温度测量。

主权项

一种校准温度测量器件的方法，所述方法包括：将光向校准晶片的第一侧引导，所述校准晶片的至少一部分具有随温度变化的在第一已知波长上的光学吸收，并具有随温度变化的在第二已知波长上的光程长度；加热所述校准晶片；测量所述校准晶片在所述第一已知波长上的吸收特性，以确定绝对温度值；基于对穿过所述校准晶片的至少一部分的光程长度的对应变化敏感的测量，确定温度的变化；基于所述对绝对温度的测量和对温度的变化的测量两者，校准温度测量器件。