一种具有电晶体及电容之单闸极非挥发记忆胞（一）

摘要

本发明系揭露一种具有一半导体基板以及在该半导体基板上具有一非挥发记忆装置之非挥发记忆积体电路。该装置具有一电晶体及一电容器在该半导体基板上，以及一共享浮动闸极连接该电晶体及该电容器之该闸极区域。该电晶体具有至少一掺杂区域定义该源极及汲极区域，以及其他三个掺杂区域覆盖该源极及汲极区域。本发明亦揭露具有多重此等非挥发记忆装置之一非挥发记忆电路，以及制造具有一者以上此等非挥发记忆装置的该非挥发积体电路之方法