| 摘要 |
本发明公开了一种用于在沟槽MOSFET器件的顶部增设ESD保护模组时在晶片处理工艺期间防止沟槽MOSFET的栅氧化损坏的方法和器件结构。该ESD保护模组具有低温氧化(LTO)底层，该底层的图案化工艺被发现会引起栅氧化损坏。该方法包括：;a)在晶片上制造若干沟槽MOSFET；;b)在晶片的顶部增设能防止LTO图案化工艺损坏栅氧化的Si3N4绝缘层；;c)在Si3N4绝缘层的顶部增设若干ESD保护模组；和;d)移除Si3N4绝缘层的不位于ESD保护模组下方的部分。;在一个实施例中，氢氟酸被用作图案化LTO的第一刻蚀剂，而热磷酸被用作移除部分Si3N4绝缘层的第二刻蚀剂。 |
