非挥发性记忆体及其制造方法

摘要

一种非挥发性记忆体，此记忆体包括基底、源极/汲极区、第一绝缘层、电荷储存层、第二绝缘层与导体层。源极/汲极区是分别配置于基底中，且相邻一距离。第一绝缘层配置于源极/汲极区之间的基底上。电荷储存层配置于第一绝缘层上。第二绝缘层配置于电荷储存层上，而且第二绝缘层的周围区域的厚度大于其中心区域的厚度。导体层配置于第二绝缘层上。