旋状盖改良结构

摘要

本创作系提供一种旋状盖改良结构，其包括：一上活动部，于其一角落设有一轴孔；一下活动部，设于上活动部下方，其上设有一对应轴孔之固定孔，该固定孔之相对一角落另设有一内凹部；一固定件，系设于上活动部其轴孔及下活动部之固定孔；一凸出块，系凸设于上活动部下方并对应于下活动部其内凹部；更进一步，于上活动部设有支脚，而下活动部其内凹部设有一磁铁块并使其上方形成提供凸出块其容置之下沉空间。藉此设计，可将上活动部与下活动部以相对应之固定件为轴部旋转，并藉上活动部其选择性可为磁铁之凸出块与下活动部选择性于内凹部设有磁铁块作固定，或藉由上活动部对应轴孔一角落之具有偏角之支脚与下活动部相对应之偏角部作单向卡止限位，有效提升其旋转固定不松脱，并以扩凹部与固定件以面接触，使受压均等增加耐用，符合进步、实用与使用者之所需，足见其增益之处。

主权项

一种旋状盖改良结构，其包括：一上活动部，于其一角落设有一上方具扩凹部之贯穿轴孔；一下活动部，系对应设于上活动部之下方，于其上设有一对应上活动部其轴孔之固定孔，该固定孔之相对一角落另设有一内凹部，该下活动部内设有一容置空间；一固定件，其上下系分别穿套设于上活动部其具扩凹部之轴孔并固定设于下活动部之固定孔，该固定件系于上方设有对应上活动部其轴孔上方扩凹部之头部；一凸出块，系凸设于上活动部下方并相对其轴孔之一角落，该凸出块系对应凸设于下活动部其内凹部。如申请专利范围第1项所述之旋状盖改良结构，该上活动部内设有一容置空间。如申请专利范围第1项所述之旋状盖改良结构，该上活动部上方设有对应之覆盖层。如申请专利范围第2项所述之旋状盖改良结构，该上活动部上方设有对应之覆盖层。如申请专利范围第2项所述之旋状盖改良结构，该上活动部相对于轴孔之一角落向下延伸设有一具偏角之支脚。如申请专利范围第4项所述之旋状盖改良结构，该上活动部相对于轴孔之一角落向下延伸设有一具偏角之支脚。如申请专利范围第5项所述之旋状盖改良结构，其中，支脚系为三角形状。如申请专利范围第6项所述之旋状盖改良结构，其中，支脚系为三角形状。如申请专利范围第5项所述之旋状盖改良结构，该下活动部对应上活动部其支脚之偏角设有一偏角部。如申请专利范围第6项所述之旋状盖改良结构，该下活动部对应上活动部其支脚之偏角设有一偏角部。如申请专利范围第1项或第2项或第3项或第4项所述之旋状盖改良结构，其中，固定件系为螺丝。如申请专利范围第5项所述之旋状盖改良结构，其中，固定件系为螺丝。如申请专利范围第6项所述之旋状盖改良结构，其中，固定件系为螺丝。如申请专利范围第9项所述之旋状盖改良结构，其中，固定件系为螺丝。如申请专利范围第10项所述之旋状盖改良结构，其中，固定件系为螺丝。如申请专利范围第1项或第2项或第3项或第4项所述之旋状盖改良结构，其中，凸出块系为磁铁。如申请专利范围第5项所述之旋状盖改良结构，其中，凸出块系为磁铁。如申请专利范围第6项所述之旋状盖改良结构，其中，凸出块系为磁铁。如申请专利范围第9项所述之旋状盖改良结构，其中，凸出块系为磁铁。如申请专利范围第10项所述之旋状盖改良结构，其中，凸出块系为磁铁。如申请专利范围第1项或第2项或第3项或第4项所述之旋状盖改良结构，该下活动部之内凹部设有一磁铁块，并使其上方形成提供凸出块其容置之下沉空间。如申请专利范围第5项所述之旋状盖改良结构，该下活动部之内凹部设有一磁铁块，并使其上方形成提供凸出块其容置之下沉空间。如申请专利范围第6项所述之旋状盖改良结构，该下活动部之内凹部设有一磁铁块，并使其上方形成提供凸出块其容置之下沉空间。如申请专利范围第9项所述之旋状盖改良结构，该下活动部之内凹部设有一磁铁块，并使其上方形成提供凸出块其容置之下沉空间。如申请专利范围第10项所述之旋状盖改良结构，该下活动部之内凹部设有一磁铁块，并使其上方形成提供凸出块其容置之下沉空间。如申请专利范围第16项所述之旋状盖改良结构，该下活动部之内凹部设有一磁铁块，并使其上方形成提供凸出块其容置之下沉空间。如申请专利范围第17项所述之旋状盖改良结构，该下活动部之内凹部设有一磁铁块，并使其上方形成提供凸出块其容置之下沉空间。如申请专利范围第18项所述之旋状盖改良结构，该下活动部之内凹部设有一磁铁块，并使其上方形成提供凸出块其容置之下沉空间。如申请专利范围第19项所述之旋状盖改良结构，该下活动部之内凹部设有一磁铁块，并使其上方形成提供凸出块其容置之下沉空间。如申请专利范围第20项所述之旋状盖改良结构，该下活动部之内凹部设有一磁铁块，并使其上方形成提供凸出块其容置之下沉空间。