检测装置及其方法

摘要

一种检测装置包含感测器、电源与测量器。感测器可配置于印刷电路之电子元件上方。电源可提供电力至印刷电路，藉以启动印刷电路。测量器可当印刷电路启动时，经由感测器去测量感测讯号。

主权项

一种检测装置，用以检测一电力电路，其具有至少一金属氧化物半导体，该检测装置包含：一感测器，配置于该金属氧化物半导体上方；一电源，用以提供电力至该印刷电路，藉以启动该电力电路并驱动该金属氧化物半导体；一测量器，用以当该电力电路启动时，经由该感测器去测量一感测讯号，该感测讯号反映出该金属氧化物半导体之状态；一峰至峰电压侦测模组，用以自该感测讯号侦测一峰至峰电压，以反映该金属氧化物半导体之状态；一工作比侦测模组，用以侦测该感测讯号之工作比，以反映该金属氧化物半导体之状态；一计算模组，用以根据该感测讯号，计算一均方根电压，以反映该金属氧化物半导体之状态；以及一取样模组，用以对该感测讯号之波形作取样，以反映该金属氧化物半导体之状态。如请求项1所述之检测装置，更包含：一记忆体，用以预载一预定限制；以及一监测器，用以每当该感测讯号未符合该预定限制时，指示一错误条件。如请求项1所述之检测装置，更包含：一第一储存模组，用以预载一预定峰至峰电压限制；以及一第一指示模组，用以每当该感测讯号未符合该预定峰至峰电压限制时，指示一第一差异状态。如请求项1所述之检测装置，更包含：一第二储存模组，用以预载一预定工作比限制；以及一第二指示模组，用以每当该感测讯号之工作比未符合该预定工作比限制时，指示一第二差异状态。如请求项1所述之检测装置，更包含：一第三储存模组，用以预载一预定均方根电压限制；以及一第三指示模组，用以每当该均方根电压未符合该预定均方根电压限制时，指示一第三差异状态。如请求项1所述之检测装置，更包含：一第四储存模组，用以预载一预定均方根电压限制；以及一第四指示模组，用以每当该感测讯号之波形未符合该预定波形限制时，指示一第四差异状态。如请求项1所述之检测装置，其中该感测器包含：一探针；以及一印刷电路板，电性连接该探针。如请求项7所述之检测装置，其中该感测器更包含：一第一绝缘层，包围该探针；一导电层，包围该第一绝缘层；一第二绝缘层，包围该导电层；一导线，电性连接该导电层；一讯号缓冲器，包括一输入端与一输出端，其中该输入端与该探针电性连接，该输出端经由该导线耦接至该导电层。如请求项1所述之检测装置，其中该感测器包含：一探针，包括一电线与一平头，该平头具有一第一表面与一第二表面，其中该电线与该平头之该第一表面电性连接；以及一电介质，位于该平头之该第二表面上。如请求项9所述之检测装置，其中该电线与该平头系一体成型。如请求项9所述之检测装置，其中该感测器更包含：一第一绝缘层，包围该电线；一导电层，包围该第一绝缘层；一第二绝缘层，包围该导电层；一导线，电性连接该导电层；一讯号缓冲器，包括一输入端与一输出端，其中该输入端与该电线电性连接，该输出端经由该导线耦接至该导电层。一种检测方法，用以检测一电力电路，其具有至少一金属氧化物半导体，该检测方法包含：配置一感测器于该金属氧化物半导体上方；提供电力至该印刷电路，藉以启动该电力电路并驱动该金属氧化物半导体；以及当该电力电路启动时，经由该感测器去测量一感测讯号，该感测讯号反映出该金属氧化物半导体之状态；自该感测讯号侦测一峰至峰电压，以反映该金属氧化物半导体之状态；侦测该感测讯号之工作比，以反映该金属氧化物半导体之状态；根据该感测讯号，计算一均方根电压，以反映该金属氧化物半导体之状态；以及对该感测讯号之波形作取样，以反映该金属氧化物半导体之状态。如请求项12所述之检测方法，更包含：预载一预定限制；以及每当该感测讯号未符合该预定限制时，指示一错误条件。如请求项12所述之检测方法，更包含：预载一预定峰至峰电压限制；以及每当该感测讯号未符合该预定峰至峰电压限制时，指示一第一差异状态。如请求项12所述之检测方法，更包含：预载一预定工作比限制；以及每当该感测讯号之工作比未符合该预定工作比限制时，指示一第二差异状态。如请求项12所述之检测方法，更包含：预载一预定均方根电压限制；以及每当该均方根电压未符合该预定均方根电压限制时，指示一第三差异状态。如请求项12所述之检测方法，更包含：预载一预定均方根电压限制；以及每当该感测讯号之波形未符合该预定波形限制时，指示一第四差异状态。