使用经同位素浓化矽之装置及方法

摘要

本发明揭示一种用以制造可并入一积体电路的半导体装置之方法。该方法包括，在一基底基板上形成经同位素浓化矽之一第一掺杂层，在该第一掺杂层上形成一经同位素浓化半导体材料矽之一第二层，以及在该第二层上构造主动装置。该装置包括一经同位素浓化半导体材料之一第一掺杂层与位于该第一掺杂层上之一经同位素浓化半导体材料的一第二层、及位于该第二层上之主动装置。