发明名称 高光取出率之固态发光元件
摘要 本发明提供一种高光取出率之固态发光元件,包含:一导电性基板、一形成于该导电性基板并含有Ⅲ族氮化物之磊晶膜、一夹置于该导电性基板与该磊晶膜之间的反射层、一夹置于该反射层与该导电性基板之间的键合层,及至少一接触电极。该磊晶膜具有一第一型掺质之半导体、一夹置于该第一型掺质之半导体与该导电性基板之间的发光层,及一夹置于该发光层与该导电性基板之间的第二型掺质之半导体。该第二型掺质之半导体之远离该发光层的一表面是呈粗化态。该接触电极设置于该第一型掺质之半导体。
申请公布号 TWI387130 申请公布日期 2013.02.21
申请号 TW096143715 申请日期 2007.11.19
申请人 王望南 台中市北区汉阳街125号;黄千真 台北市大同区甘谷街35号10楼 发明人 余长治;林仲相;蔡睿彦;黄泓文;王望南
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项
地址 台北市大同区甘谷街35号10楼