发明名称 |
高光取出率之固态发光元件 |
摘要 |
本发明提供一种高光取出率之固态发光元件,包含:一导电性基板、一形成于该导电性基板并含有Ⅲ族氮化物之磊晶膜、一夹置于该导电性基板与该磊晶膜之间的反射层、一夹置于该反射层与该导电性基板之间的键合层,及至少一接触电极。该磊晶膜具有一第一型掺质之半导体、一夹置于该第一型掺质之半导体与该导电性基板之间的发光层,及一夹置于该发光层与该导电性基板之间的第二型掺质之半导体。该第二型掺质之半导体之远离该发光层的一表面是呈粗化态。该接触电极设置于该第一型掺质之半导体。 |
申请公布号 |
TWI387130 |
申请公布日期 |
2013.02.21 |
申请号 |
TW096143715 |
申请日期 |
2007.11.19 |
申请人 |
王望南 台中市北区汉阳街125号;黄千真 台北市大同区甘谷街35号10楼 |
发明人 |
余长治;林仲相;蔡睿彦;黄泓文;王望南 |
分类号 |
H01L33/00 |
主分类号 |
H01L33/00 |
代理机构 |
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代理人 |
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
主权项 |
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地址 |
台北市大同区甘谷街35号10楼 |