用于钌及钽阻障ＣＭＰ之组合物及方法

摘要

本发明提供化学机械抛光组合物，其包括磨料、水性载剂、相对于标准氢电极之标准还原电位大于0.7伏且小于1.3伏之氧化剂、及视情况硼酸根阴离子源，其限制条件系当氧化剂包括除过硼酸盐、过磷酸盐，或过碳酸盐以外的过氧化物时，该化学机械抛光组合物进一步包括硼酸根阴离子源，其中该化学机械抛光组合物之pH系介于7与12之间。本发明亦提供用上述化学机械抛光组合物抛光基板之方法。