| 摘要 |
Dans un procédé de fabrication d'une diode laser émettant de la lumière visible, on fait croître sur un substrat en GaAs (1) une structure à double hétérojonction du type AlGaInP/GaInP/AlGaInP (2, 3, 4), on forme une moulure (10) sur cette structure, on forme une couche de blocage de courant (80) par croissance sélective de GaAs, de façon à enterrer la moulure, et on fait croître une couche de contact sur la couche de blocage de courant et sur la moulure. Pour faire croître la couche de blocage de courant, on forme une première couche de GaAs (81) sur la surface de la structure à double hétérojonction et sur les parois latérales de la moulure, et on forme une seconde couche de GaAs (82) sur la première couche. De ce fait, les deux parois latérales de la moulure sont recouvertes par la première couche de GaAs et elles ne sont donc pas exposées à une température élevée dans une atmosphère d'AsH3 .
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