三元薄膜的新颖沉积方法

摘要

一种用于制造含金属之薄膜的方法，其系导入不含金属-碳或金属-氮-碳σ键的金属源(诸如TaCl5,SEt2)、诸如氨的氮前驱物、诸如单甲胺或乙烯的碳源及还原剂(诸如氢)于CVD舱内，并使之在基板表面进行反应，而在单一步骤中形成含金属之薄膜。