| 摘要 |
本发明系关于一种具有磷化铟铝镓/砷化镓驼峰式闸极之场效电晶体，该位能障闸极系由n+-GaAs/p+-InAlGaP/n-GaAs或n+-GaAs/p+-InAlGaP/n-InAlGaP之异质接面结构所构成。在闸极设计方面，因为InAlGaP比InGaP有较大的能隙及位能障，InAlGaP/GaAs的ΔEc比InGaP/GaAs大，因此可有效的抑制电子注入通道层，另外，此元件亦具较佳的载子局限能力。再者，载子提供层的设计是采用Delta掺杂技术的使用，因此，这些元件可得到更大的输出电流、崩溃电压及输出功率。 |
