| 发明名称 | 晶圆表面凹陷缺陷的处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种晶圆表面凹陷缺陷的处理方法，所述晶圆上形成有第一介质层，所述第一介质层表面具有凹陷，包括：在所述第一介质层上填充第二阻挡层，所述第二阻挡层至少填充满所述凹陷；去除位于所述凹陷区域以外的多余的第二阻挡层。本发明减少了由于凹陷对晶圆的良率的影响，以及减小凹陷引起的二次缺陷的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN103165412A | 申请公布日期 | 2013.06.19 |
| 申请号 | CN201310084541.2 | 申请日期 | 2013.03.15 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 朱陆君;龙吟;倪棋梁;陈宏璘 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 陆花 |
| 主权项 | 一种晶圆表面凹陷缺陷的处理方法，所述晶圆上形成有第一介质层，所述第一介质层表面具有凹陷，其特征在于，包括：在所述第一介质层上填充第二阻挡层，所述第二阻挡层至少填充满所述凹陷；去除位于所述凹陷区域以外的多余的第二阻挡层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 | ||