| 摘要 |
提供一种：对从水平圆盘型晶座之下方所产生的金属污染物之侵入作遮蔽，并成为能够改善晶圆的良率之气相成长装置以及气相成长方法。本发明之气相成长装置，其特征为，具备有：支持器，系具备有圆环形状，并可载置晶圆；和晶座，系为圆盘型形状，而可载置支持器，并在上面处，设置有当被载置有此支持器时内接于支持器之圆环形状之内周端的圆周状阶段差；和旋转驱动机构，系将晶座以及支持器，以特定之旋转速度而作旋转；和加热机构，系将被载置于支持器处之晶圆作加热；和晶圆突起举升机构，系在旋转驱动机构之外侧处，将支持器下面推压举起。 |
