发明名称 |
蚀刻牺牲材 |
摘要 |
本发明揭示一种蚀刻矽基材之方法。此方法包括接合一第一矽基材至一牺牲矽基材上。第一矽基材被蚀刻。一压力被施加至第一矽基材与牺牲矽基材之一界面上以使第一矽基材与牺牲矽基材分开。一具有金属刀片之设备可用以分隔基材。 |
申请公布号 |
TWI401739 |
申请公布日期 |
2013.07.11 |
申请号 |
TW094136907 |
申请日期 |
2005.10.21 |
申请人 |
富士软片迪玛提斯股份有限公司 美国 |
发明人 |
伯梅尔杰佛瑞;戴明史帝文R |
分类号 |
H01L21/306;H01L21/311;B81C1/00 |
主分类号 |
H01L21/306 |
代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
主权项 |
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地址 |
美国 |