发明名称 低操作电流相变记忆体结构
摘要 本文所述之记忆体单元在主动区之侧向边缘处的电流密度,较知蘑菇型记忆体单元之主动区侧向边缘处的电流密度增加,因此,可以提升操作电流效率。
申请公布号 TWI406437 申请公布日期 2013.08.21
申请号 TW098128571 申请日期 2009.08.25
申请人 旺宏电子股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 发明人 陈士弘;陈逸舟
分类号 H01L45/00 主分类号 H01L45/00
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路16号