发明名称 |
低操作电流相变记忆体结构 |
摘要 |
本文所述之记忆体单元在主动区之侧向边缘处的电流密度,较知蘑菇型记忆体单元之主动区侧向边缘处的电流密度增加,因此,可以提升操作电流效率。 |
申请公布号 |
TWI406437 |
申请公布日期 |
2013.08.21 |
申请号 |
TW098128571 |
申请日期 |
2009.08.25 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |
发明人 |
陈士弘;陈逸舟 |
分类号 |
H01L45/00 |
主分类号 |
H01L45/00 |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |