发明名称 主动矩阵基板、显示装置及主动矩阵基板之制造方法
摘要 本发明之主动矩阵基板(1)具备源极电极(32)、汲极电极(33)、及包含氧化物半导体之半导体层(31),在闸极电极(12a)上形成有包含氧化矽之闸极绝缘层(42),在闸极绝缘层(42)上形成有源极电极(32)、汲极电极(33)、及半导体层(31),在闸极绝缘层(42)上形成有未覆盖半导体层(31)之包含氮化矽之第1保护层(44),在半导体层(31)上形成有包含氧化矽之第2保护层(46)。第1保护层(44)系覆盖讯号线(14)及源极连接线(36)。
申请公布号 TWI406420 申请公布日期 2013.08.21
申请号 TW101111182 申请日期 2012.03.29
申请人 夏普股份有限公司 日本 发明人 美崎克纪
分类号 H01L29/786;H01L21/336;H01L21/28;H01L29/423 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼;林宗宏 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 日本
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