发明名称 挥发性记忆体二通过写入方法
摘要 本发明陈述一种用于写入在一积体电路上实施且采取包括复数个字线及复数个位元线之挥发性记忆体单元之一阵列之形式之挥发性记忆体单元的方法。使用时,第一次在至少一记忆体单元上执行一第一写入操作。此外,第二次时,在至少一记忆体单元上执行一第二写入操作。在使用期间,可使用各种电压关系以增强设计。仅举例而言,在该第一写入操作期间,与该至少一记忆体单元相关之一对应字线处的电压,不同于该第二写入操作期间之彼电压。
申请公布号 TWI408694 申请公布日期 2013.09.11
申请号 TW095122129 申请日期 2006.06.20
申请人 桑迪士克3D公司 美国 发明人 罗伊E 史契尔篮
分类号 G11C8/08 主分类号 G11C8/08
代理机构 代理人 黄章典 台北市松山区敦化北路201号7楼;楼颖智 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 美国