发明名称 积层陶瓷电容器
摘要 本发明之积层陶瓷电容器之介电质陶瓷系将钛酸钡作为主成分,且以说明书中记载之比例含有钒、镁、锰、说明书中记载之稀土元素以及铽。构成上述介电质陶瓷之结晶具有由钙浓度为0.2原子%以下之第1晶粒所组成的第1结晶群组、以及由钙浓度为0.4原子%以上之第2晶粒所组成的第2结晶群组。当将于上述介电质陶瓷之研磨面上所观察到之上述第1晶粒的面积设为C1、将上述第2晶粒之面积设为C2时,C2/(C1+C2)为0.3~0.7。于上述介电质陶瓷之X射线绕射图中,显示立方晶之钛酸钡之(200)面的绕射强度大于显示正方晶之钛酸钡之(002)面的绕射强度。居里温度为95~105℃。
申请公布号 TWI412045 申请公布日期 2013.10.11
申请号 TW098109473 申请日期 2009.03.24
申请人 京瓷股份有限公司 日本 发明人 西垣政浩;大铃英之;上野纯;三野裕章
分类号 H01G4/12;H01G4/30;C04B35/46 主分类号 H01G4/12
代理机构 代理人 赖经臣 台北市松山区南京东路3段346号11楼;宿希成 台北市松山区南京东路3段346号11楼
主权项
地址 日本