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发明名称
矽化合物膜之乾蚀刻方法
摘要
本发明系藉由利用至少含有COF2之蚀刻气体的平行平板型乾蚀刻,对矽化合物膜进行乾蚀刻。
申请公布号
TWI412078
申请公布日期
2013.10.11
申请号
TW098131149
申请日期
2009.09.16
申请人
樫尾计算机股份有限公司 日本
发明人
登坂久雄
分类号
H01L21/3065;H01L21/311
主分类号
H01L21/3065
代理机构
代理人
何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项
地址
日本
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