| 摘要 |
本发明系关于以含有下述<1>～<3>的步骤之图型形成方法，使变性处理后的光阻膜未曝光部之纯水接触角为50～85度；;<1>将含有具有以酸作用增加硷溶解性的重复单位与含有内酯结构之重复单位的高分子化合物之正型光阻材料，涂布于基板上而形成第1光阻膜，于加热处理后以高能量线进行曝光，于加热处理后进行硷显像，以线图型为主之第1光阻图型形成步骤、;<2>于上述图型上涂布光阻变性用组成物并进行加热之变性处理步骤、与;<3>于变性处理后的第1图型上涂布第2正型光阻材料，于加热处理后进行曝光，于加热处理后进行硷显像，与第1光阻图型平行下形成将线图型为主之第2光阻图型的步骤。;藉由本发明，可提供以2次曝光与1次乾蚀刻加工基板之对进行双图型制程为有用的图型形成方法及光阻变性用组成物。 |
