发明名称 高宽高比之开孔
摘要 本发明揭示一种电容器形成方法,其包括在一基板上形成一导电载体材料,其中该载体材料含有至少25原子%之碳。该方法包括形成一至少穿过该载体材料之开孔,其中该开孔在该载体材料之厚度内具有至少20:1之宽高比。在形成该开孔之后,该方法包括处理该载体材料以达成导电率之减小,及在该开孔中形成一电容器结构。
申请公布号 TWI412139 申请公布日期 2013.10.11
申请号 TW098110309 申请日期 2009.03.27
申请人 美光科技公司 美国 发明人 凯尔包区 马克W
分类号 H01L29/92 主分类号 H01L29/92
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 美国