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发明名称
高宽高比之开孔
摘要
本发明揭示一种电容器形成方法,其包括在一基板上形成一导电载体材料,其中该载体材料含有至少25原子%之碳。该方法包括形成一至少穿过该载体材料之开孔,其中该开孔在该载体材料之厚度内具有至少20:1之宽高比。在形成该开孔之后,该方法包括处理该载体材料以达成导电率之减小,及在该开孔中形成一电容器结构。
申请公布号
TWI412139
申请公布日期
2013.10.11
申请号
TW098110309
申请日期
2009.03.27
申请人
美光科技公司 美国
发明人
凯尔包区 马克W
分类号
H01L29/92
主分类号
H01L29/92
代理机构
代理人
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址
美国
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