| 摘要 |
本发明公开了一种具有互穿插汲极-体突出物(IDBP)的短通道MOSFET及其制备方法，可以在减少通道电阻的同时保持高击穿电压。所述LMOS包括：下部装置块体层；上部源极区和上部汲极区，都位于所述下部装置块体层的顶部；所述上部源极区和上部汲极区，都与一个具有第二导电类型的上部体区相互连接，所述上部体区位于上部源极区和上部汲极区之间、并且位于下部装置块体层的顶部；在上部汲极区和上部体区之间形体适配地形成一个位于二者之间的汲极体介面，所述汲极-体介面具有一个沿着竖直平面的IDBP结构，该IDBP结构具有一个沿着被嵌埋的体突出物的顶面延伸的表面汲极突出物，同时暴露上部体区的一个预制的顶部体表面区域；一个闸极氧化物-闸极电极的双层结构，设置在上部体区的顶部并至少覆盖其顶部体表面区域，借此形成一个具有短通道的LMOS，该通道的长度根据位于上部源极区和上部汲极区之间的顶部体表面区域的水平长度确定。 |
