| 摘要 |
提供一种就算是暴露在氢电浆中亦不会剥离的金属配线膜。藉由在铜中被添加有Al之密着层(51)、和被配置在密着层(51)上并由纯铜所成之金属低电阻层(52)，来构成金属配线膜(20a)。若是密着层(51)中，使其包含着含有Al与氧之铜合金，并构成与矽层相密着之源极电极膜(27)与汲极电极膜(28)，则就算是暴露在氢电浆中，铜亦不会在密着层(51)与矽层之界面处析出，而密着层(51)与矽层之间系不会剥离。若是Al变多，则由于在蚀刻后，密着层(51)与金属低电阻层(52)之宽幅系会产生很大的差异，因此，能够进行蚀刻之最大添加量，系成为Al之上限。 |
