| 摘要 |
本发明提供一种半导体装置之制造方法，其可将半导体元件与引线框架、有机基板等半导体元件搭载用支持构件于相对较低之温度范围内黏接，而不会对黏接性、作业性造成障碍，且可抑制空隙之产生。本发明之半导体装置之制造方法系经由黏接薄膜之硬化物将半导体元件与支持构件黏接者，其特征在于，依下述步骤(a)～(d)之顺序进行：(a)准备附有黏接薄膜之半导体元件之步骤；(b)将附有黏接薄膜之半导体元件热压合于支持构件，获得由附有黏接薄膜之半导体元件与支持构件所构成的半导体零件之热压合步骤；(c)使用加压流体对由附有黏接薄膜之半导体元件与支持构件所构成的半导体零件进行加热、加压，进行黏接薄膜之硬化的加压固化步骤；以及(d)将半导体元件与支持构件加以电性连接之步骤。 |
