发明名称 薄膜形成方法及薄膜形成装置
摘要 〔课题〕构成一种:在藉由反应性溅镀来形成特定之薄膜时,能够涵盖处理基板全面而使膜厚分布或电阻率等之膜质成为略均匀的溅镀装置。;〔解决手段〕在将相同数量之标靶31a乃至31h以等间隔而并列设置之复数的溅镀室11a、11b之间,将处理基板S搬送至对向于各标靶之位置,并对此处理基板所存在之溅镀室内的各标靶投入电力,而对各标靶作溅镀,以在处理基板表面上层积相同又或是相异之薄膜。此时,以使在相互连续的溅镀室之间,处理基板表面中之与各标靶相互之间的区域相对向的场所相互偏移的方式,来改变处理基板之停止位置
申请公布号 TWI427170 申请公布日期 2014.02.21
申请号 TW097107139 申请日期 2008.02.29
申请人 爱发科股份有限公司 日本 发明人 武井应树;石桥哲;清田淳也;市桥佑次;佐藤重光
分类号 C23C14/34;C23C14/35 主分类号 C23C14/34
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址 日本