提高高阻产能的方法

摘要

本发明提供一种提高高阻产能的方法。该方法包括在多晶硅淀积炉管中制备高阻的过程中，在制备完成第一多晶硅层后，应用酸性液体对第一多晶硅层的上表面进行持续预设时间的清洗；在经过清洗的第一多晶硅层的上表面制备电容中间介质层；在所述电容中间介质层上制备第二多晶硅层，并向所述第二多晶硅层上注入第二计量的杂质元素；所述第二计量比第一计量多，所述第一计量为不对所述第一多晶硅层的上表面进行清洗而制备相同阻值的高阻的过程中，需要在所述第二多晶硅层上注入的杂质元素的计量。本发明通过在制备电容中间介质层之前增加酸性液体的清洗，并在后续增加杂质元素的注入计量的生成工艺，来提供多晶硅淀积炉管制备高阻的产能。

主权项

一种提高高阻产能的方法，其特征在于，包括：在多晶硅淀积炉管中制备高阻的过程中，在各舟位的硅片上制备完成第一多晶硅层后，应用酸性液体对各舟位上的第一多晶硅层的上表面进行持续预设时间的清洗；在经过清洗的第一多晶硅层的上表面制备电容中间介质层；在所述电容中间介质层上制备第二多晶硅层，并向所述第二多晶硅层上注入第二计量的杂质元素；所述第二计量比第一计量多，所述第一计量为不对所述第一多晶硅层的上表面进行清洗而制备相同阻值的高阻的过程中，需要在所述第二多晶硅层上注入的杂质元素的计量。