| 摘要 |
<p>本発明は、導電性陽極基板、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、電子輸送層、電子注入層、及び陰極が順次に積層された構造を含み、前記電子阻止層の材質が、セシウム塩ドープ正孔輸送材であるドープ型有機電界発光素子を開示した。前記ドープ型有機電界発光素子によれば、電子阻止層の材質がセシウム塩ドープ正孔輸送材であり、セシウム塩の仕事関数が約−２．０ｅＶと低く、効果的に電子を阻止することができる。仕事関数が低いセシウム塩を正孔輸送材にドープして電子阻止層とすることにより、正孔輸送材のＬＵＭＯエネルギー準位を大幅に向上させ、電子阻止層と発光層との間のポテンシャルバリヤを増大させて、電子の正孔輸送層側への遷移が困難になり、電子阻止効果が良好になる。また、本発明は、上記のドープ型有機電界発光素子の製造方法を提供する。</p> |
