| 发明名称 | 光电子半导体芯片 | ||
| 摘要 | 在光电子半导体芯片(1)的至少一个实施形式中，该光电子半导体芯片基于氮化物材料系并且包括至少一个有源量子阱(2)。所述至少一个有源量子阱(2)构建为在工作中产生电磁辐射。此外，所述至少一个有源量子阱(2)在平行于半导体芯片(1)的生长方向z的方向上具有N个相继的区域(A)，其中N是大于或等于2的自然数。区域(A)中的至少两个具有彼此不同的平均铟含量c。 | ||
| 申请公布号 | CN104319331A | 申请公布日期 | 2015.01.28 |
| 申请号 | CN201410437730.8 | 申请日期 | 2010.03.10 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | 阿德里恩·斯蒂芬·阿朗姆梅斯科;迪泽尔·科尤恩;克里斯托夫·艾克勒;马蒂亚斯·扎巴蒂尔;斯蒂芬·鲁特格恩;尤伟·斯特劳斯 |
| 分类号 | H01L33/32(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/32(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 毋二省;李少丹 |
| 主权项 | 一种光电子半导体芯片(1)，其基于氮化物材料系，具有至少一个有源量子阱(2)，其中‑在工作中在有源量子阱(2)中产生电磁辐射，‑有源量子阱(2)在平行于半导体芯片(1)的生长方向z的方向上具有N个相继的区域(A)，并且N是大于或等于2的自然数，‑所述区域(A)在平行于生长方向z的方向上连续地编号，‑所述区域(A)中的至少两个具有彼此不同的平均铝含量k，并且‑有源量子阱(2)满足如下条件：50≤∫(35‑k(z))dz‑2.5N‑1.5∫dz≤120。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||