高级硅烷组合物和带膜的基板的制造方法

摘要

本发明涉及高级硅烷组合物，其含有高级硅烷化合物和溶剂，其特征在于，上述溶剂含有环状烃，所述环状烃具有1个或2个双键，不具有烷基，仅由碳和氢构成，折射率为1.40～1.51，介电常数为3.0以下且分子量为180以下。本发明的高级硅烷组合物可以通过液相方法形成安全且具有期望膜厚的优质的膜。

主权项

高级硅烷组合物，其含有高级硅烷化合物和溶剂，其特征在于，上述高级硅烷化合物是对于选自环丙硅烷、环丁硅烷、环戊硅烷、环己硅烷和环庚硅烷中的至少1种硅烷化合物照射紫外线而得到的化合物， 上述溶剂含有环状烃，所述环状烃具有1个或2个双键，不具有烷基，仅由碳和氢构成，折射率为1.40～1.51，介电常数为3.0以下，且分子量为180以下，所述高级硅烷组合物为，上述高级硅烷化合物以1～50重量％的浓度溶解在上述溶剂中的溶液状态。2. 权利要求1所述的高级硅烷组合物，其中，上述高级硅烷组合物中高级硅烷化合物的浓度为5～45重量%。3. 权利要求1所述的高级硅烷组合物，其中，上述高级硅烷组合物中的溶剂仅包含上述环状烃。4. 权利要求1所述的高级硅烷组合物，其中，上述高级硅烷组合物中的溶剂是包含上述环状烃和分子中具有硅原子的化合物的溶剂。5. 带膜的基板的制造方法，其特征在于，包含：向基板上供给权利要求1所述的高级硅烷组合物的第1工序、和从该高级硅烷组合物中除去溶剂而形成高级硅烷化合物的覆膜的第2工序。6. 权利要求5所述的带膜的基板的制造方法，其特征在于，在上述第2工序之后，进一步具有对于上述高级硅烷化合物的覆膜，在非氧化性气氛中实施选自热处理和光照射处理的至少1种处理而将上述高级硅烷化合物转换成硅并形成硅膜的第3工序。7. 权利要求5所述的带膜的基板的制造方法，其特征在于，在上述第2工序之后，进一步具有对于上述高级硅烷化合物的覆膜在非氧化性气氛中实施热处理而将上述高级硅烷化合物转换成硅，接着对于该硅在氧化性气氛中实施热处理而将上述硅转换成氧化硅并形成氧化硅膜的第3工序。8. 权利要求5所述的带膜的基板的制造方法，其特征在于，在上述第2工序之后，进一步具有对于上述高级硅烷化合物的覆膜，在氧化性气氛中实施选自热处理和光照射处理的至少1种处理而将上述高级硅烷化合物转换成氧化硅并形成氧化硅膜的第3工序。