| 摘要 |
La présente invention concerne un procédé de préparation d'un substrat de silicium présentant une taille moyenne de cristallites supérieure ou égale à 20 µm, comprenant au moins les étapes consistant en : (i) disposer d'un substrat de silicium polycristallin dont la taille moyenne des grains est inférieure ou égale à 10 µm ; (ii) soumettre ledit substrat à une déformation plastique globale et homogène, à une température d'au moins 1000°C ; (iii) soumettre ledit substrat à une déformation plastique localisée en plusieurs zones (3) du substrat, dites zones de sollicitation externe, l'espacement entre deux zones (3) consécutives étant d'au moins 20 µm, la déformation locale du substrat étant strictement supérieure à la déformation globale opérée en étape (ii) ; l'étape (iii) pouvant être réalisée consécutivement ou simultanément à l'étape (ii) ; et (iv) soumettre le substrat obtenu à l'issue de l'étape (iii) à un traitement thermique de recristallisation en phase solide, à une température strictement supérieure à la température mise en œuvre en étape (ii), pour obtenir ledit substrat attendu. |
