| 主权项 |
一种自我参考读出电路，用以判断储存于一MRAM位元晶格中一最初未知的数值，该位元晶格具有一磁穿隧接面元件，其以一固定层(pinned layer)建立一永久磁场的参考方向，并以一可变磁场元件的一自由层(free layer)，选择性地在该磁穿隧接面元件为低电阻态时及高电阻态时分别排列成平行及逆平行(anti-parallel)于该参考方向，该自我参考读出电路包括：一电流偏置电源以及一切换电路，两者相连，用以提供一读出偏置电流至该磁穿隧接面元件，藉此建立代表未知电阻态的电流振幅与电位差；一储存电路，用以回应该读出电路以储存代表该未知电阻态之一数值；以及一写出电路用以在该储存电路储存该数值后将一电阻态施加于该磁穿隧接面元件之上；其中该切换电路接着将该磁穿隧接面元件耦接至该电流偏置电源，以建立代表该未知电阻态的状态，而后建立代表该施加的电阻态的电流振幅与电位差；一电流求和节点用以计算两电流位准之总和值，其中一电流位准随着该未知电阻态与该施加的电阻态两者中一者的电阻值增加，而另一电流位准则随另一者的电阻值减低；以及一输出电路用以回应该总和值以确认该未知电阻态与该施加的电阻态彼此相同或是不同。 |
